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SPB100N04S2-04

更新时间： 2024-09-27 22:16:43
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8页 314K
描述
OptiMOS Power-Transistor

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SPB100N04S2-04 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.28其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：810 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0033 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPB100N04S2-04 数据手册

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SPP100N04S2-04  
SPB100N04S2-04  
OptiMOS Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
40  
3.3  
V
DS  
• N-Channel  
R
max. SMD version  
mΩ  
A
DS(on)  
• Enhancement mode  
• 175°C operating temperature  
• Avalanche rated  
I
100  
D
P- TO263 -3-2  
P- TO220 -3-1  
• dv/dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
PN0404  
PN0404  
SPP100N04S2-04 P- TO220 -3-1 Q67060-S6040  
SPB100N04S2-04 P- TO263 -3-2 Q67060-S6041  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
100  
100  
400  
C
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
810  
6
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =80 , V =25V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I =100A, V =32V, di/dt=200A/µs, T =175°C  
jmax  
S
DS  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
300  
GS  
P
W
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2003-05-08  
12345678

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SPB100N04S2-04 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB100N04S3-03 INFINEON

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SPB100N04S2L-03 INFINEON

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 		OptiMOS Power-Transistor
SPB100N06S2L-05 INFINEON

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 		OptiMOS Power-Transistor
SPB100N06S2L05DTMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SPB100N08S2-07 INFINEON

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 		OptiMOS Power-Transistor
SPB100N08S2-07-E6327 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SPB100N08S2L-07 INFINEON

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 		OptiMOS Power-Transistor
SPB100UFA VMI

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 		5,000 V - 20,000 V Single Phase Bridge 2.0 A Forward Current 70 ns Recovery Time
SPB100UFB VMI

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 		5,000 V - 20,000 V Single Phase Bridge 2.0 A Forward Current 70 ns Recovery Time
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