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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.29 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0047 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPB100N06S2L-05 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB100N06S2L05DTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| SPB100N08S2-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB100N08S2-07-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| SPB100N08S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB100UFA | VMI |
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5,000 V - 20,000 V Single Phase Bridge 2.0 A Forward Current 70 ns Recovery Time |
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| SPB100UFB | VMI |
获取价格 |
5,000 V - 20,000 V Single Phase Bridge 2.0 A Forward Current 70 ns Recovery Time |
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| SPB101 | NIDEC |
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Detect Switches |
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| SPB10100 | MICROSEMI |
获取价格 |
2 X 100A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| SPB-10-2PS | AMPHENOL |
获取价格 |
Circular Connector Adapter, |
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