是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-218 |
包装说明: | R-PSSO-C1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.7 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, PD-CASE | 最大击穿电压: | 44.9 V |
最小击穿电压: | 36.7 V | 击穿电压标称值: | 40.8 V |
外壳连接: | ANODE | 最大钳位电压: | 59 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码: | DO-218AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-C1 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 5200 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 8 W |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 33 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SM8S33AHE3_A/I | VISHAY |
完全替代 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 5200W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SM8S33-T750 | PROTEC |
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Trans Voltage Suppressor Diode | |
SM8S36 | VISHAY |
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Surface Mount Automotive Transient Voltage Suppressors | |
SM8S36 | UNSEMI |
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用于汽车电子保护,可通过ISO7637-5A5B测试标准。 | |
SM8S36 | LGE |
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暂无描述 | |
SM8S36 | RECTRON |
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Package / Case : DO-218;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 6600 W;Polarity : Unidirec | |
SM8S36/2D | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 36V V(RWM), Unidirectional, | |
SM8S36A | EIC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 6600W, 36V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO- | |
SM8S36A | LGE |
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暂无描述 | |
SM8S36A | UNSEMI |
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用于汽车电子保护,可通过ISO7637-5A5B测试标准。 | |
SM8S36A | SUNMATE |
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6600W patch TVS transient suppression diode DO-218 36V |