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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | FAST |
| 标称电路换相断开时间： | 25 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 250 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 4 V | 最大维持电流： | 400 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-200AC | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 最大漏电流： | 100 mA | 通态非重复峰值电流： | 11000 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 510000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 1300 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 100000 µA | 断态重复峰值电压： | 1300 V |
| 重复峰值反向电压： | 1300 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKT513F14DV | SEMIKRON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 |
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| SKT520/18E | SEMIKRON |
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Silicon Controlled Rectifier, 816.4A I(T)RMS, 520000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 |
|
| SKT520/20E | SEMIKRON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 816.4A I(T)RMS, 520000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 |
|
| SKT520/22E | SEMIKRON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 816.4A I(T)RMS, 520000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 |
|
| SKT520/24E | SEMIKRON |
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Silicon Controlled Rectifier, 816.4A I(T)RMS, 520000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 |
|
| SKT520/28E | SEMIKRON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 816.4A I(T)RMS, 520000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 |
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| SKT55 | LIUJING |
获取价格 |
可控硅、晶闸管 |
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| SKT55 | SEMIKRON |
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Line Tyristor |
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| SKT55 | NAINA |
获取价格 |
Phase Control Thyristors, 56A (Stud and Lead Type) |
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| SKT55/02C | SEMIKRON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 55000mA I(T), 200V V(DRM) |
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