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SKT520/22E

更新时间： 2024-11-29 20:50:11

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
4页	124K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 816.4A I(T)RMS, 520000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, TO-200AC, HERMETIC SEALED, METAL, TO-200AC, 4 PIN

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SKT520/22E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BUTTON
包装说明：	DISK BUTTON, O-MEDB-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
标称电路换相断开时间：	200 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	500 mA
JEDEC-95代码：	TO-200AC	JESD-30 代码：	O-MEDB-N2
最大漏电流：	120 mA	通态非重复峰值电流：	9000 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最大通态电流：	520000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	816.4 A
重复峰值关态漏电流最大值：	120000 µA	断态重复峰值电压：	2200 V
重复峰值反向电压：	2200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

SKT520/22E 数据手册

Thyristors

SKT 520

V_RSMV_RRM

V_DRM

I_TRMS(maximum values for continuous operation)

1400 A

I_TAV(sin. 180; T_case= 55 °C; DSC)

V/µs

780 A

1900 1800 1000

2100 2000 1000

2300 2200 1000

2500 2400 1000

2900 2800 1000

SKT 520/18 E

SKT 520/20 E

SKT 520/22 E

SKT 520/24E

SKT 520/28 E

Symbol Conditions

SKT 520

I_TAV

I_TSM

sin. 180; T_case= 85 °C; DSC

T_vj25 °C

520 A

9000 A

8000 A

Features

_vj= 125 °C

T_vj25 °C

_vj= 125 °C

i²t

405 000 A²s

•

Hermetic metal cases with

ceramic insulators

Capsule packages for double

sided cooling

Shallow design with single

sided cooling

320 000 A²s

t_gd

t_gr

T_vj

25 °C; I_G= 1 A; di_G/dt = 1 A/µs

typ. 1 µs

typ. 2 µs

125 A/ µs

V_D= 0,67 V_DRM

(di/dt)_crf = 50 . . . 60 Hz

•

International standard cases

Off-state and reverse voltages

up to 2800 V

I_H

I_L

t_q

T_vj

25 °C; typ./max.

150 mA/500 mA

500 mA/2 A

100 ... 200 µs

T_vj= 125 °C; typ.

Typical Applications

V_T

T_vj25 °C; I_T= 1500 A; max.

2,0 V

1,2 V

0,55 mΩ

120 mA

•

DC motor control

(e. g. for machine tools)

Controlled rectifiers

(e. g. for battery charging)

AC controllers

V_T(TO)T_vj= 125 °C

r_TT_vj= 125 °C

I_DD, I_RDT_vj= 125 °C; V_DD= V_DRM; V_RD= V_RRM

V_GT

I_GT

V_GD

I_GD

T_vj

25 °C

3 V

(e. g. for temperature control)

200 mA

0,25 V

10 mA

T_vj= 125 °C

R_thjc

cont. DSC

sin. 180; DSC/SSC

rec. 120; DSC/SSC

0,038 °C/W

0,040/0,082 °C/W

0,045/0,093 °C/W

R_thch

T_vj

T_stg

DSC/SSC

0,007/0,014 °C/W

– 40 ... +125 °C

– 40 ... +130 °C

SI units

US units

10 ... 13 kN

2200 ... 2850 lbs.

240 g

Case

B 10

0895

B 3 – 41

12 3 4

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与SKT520/22E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKT520/24E	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 816.4A I(T)RMS, 520000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1
SKT520/28E	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 816.4A I(T)RMS, 520000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1
SKT55	LIUJING	获取价格	可控硅、晶闸管
SKT55	SEMIKRON	获取价格	Line Tyristor
SKT55	NAINA	获取价格	Phase Control Thyristors, 56A (Stud and Lead Type)
SKT55/02C	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 55000mA I(T), 200V V(DRM)
SKT55/04C	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 55000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 El
SKT55/04D	SEMIKRON	获取价格	Line Tyristor
SKT55/06C	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 55000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 El
SKT55/06CUNF	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 55000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elem

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