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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> SKT551/18E
SKT551/18E PDF预览

SKT551/18E

更新时间： 2024-11-29 03:02:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
4页 959K
描述
Thyristors

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SKT551/18E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BUTTON
包装说明：DISK BUTTON, O-MXDB-X4针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.73Is Samacsys：N
标称电路换相断开时间：150 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us最大直流栅极触发电流：250 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：500 mA
JEDEC-95代码：TO-200ABJESD-30 代码：O-MXDB-X4
JESD-609代码：e2最大漏电流：50 mA
通态非重复峰值电流：9000 A元件数量：1
端子数量：4最大通态电流：550000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1200 A
重复峰值关态漏电流最大值：50000 µA断态重复峰值电压：1800 V
重复峰值反向电压：1800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKT551/18E 数据手册

 浏览型号SKT551/18E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKT551/18E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKT551/18E的Datasheet PDF文件第4页 
SKT 551 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKT  
1
06-08-2007 MAJ  
© by SEMIKRON  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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