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SKT55/04C

更新时间: 2024-11-29 19:30:35
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 55000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209

SKT55/04C 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.75外壳连接:ANODE
标称电路换相断开时间:100 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:250 mA
JEDEC-95代码:TO-209JESD-30 代码:O-MUPM-H3
JESD-609代码:e2最大漏电流:25 mA
通态非重复峰值电流:1300 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:55000 A
最高工作温度:130 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:86.35 A
重复峰值关态漏电流最大值:25000 µA断态重复峰值电压:400 V
重复峰值反向电压:400 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SKT55/04C 数据手册

  

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