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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> SKT55/16C
SKT55/16C PDF预览

SKT55/16C

更新时间： 2024-11-29 12:58:39
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
4页 557K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 55000mA I(T), 1600V V(DRM)

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SKT55/16C 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84标称电路换相断开时间：100 µs
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：250 mA
通态非重复峰值电流：1300 A最大通态电流：55000 A
最高工作温度：130 °C最低工作温度：-40 °C
断态重复峰值电压：1600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKT55/16C 数据手册

 浏览型号SKT55/16C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKT55/16C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKT55/16C的Datasheet PDF文件第4页 
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1
27-08-2003 IMP  
© by SEMIKRON  
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