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SKT553/12E PDF预览

SKT553/12E

更新时间： 2024-11-29 15:51:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
4页 1051K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1200A I(T)RMS, 550000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, HERMETIC SEALED, METAL, CASE B 11A, 4 PIN

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SKT553/12E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BUTTON包装说明：DISK BUTTON, O-MXDB-X4
针数：2Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.75
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：250 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：500 mAJEDEC-95代码：TO-200AB
JESD-30 代码：O-MXDB-X4最大漏电流：50 mA
通态非重复峰值电流：8000 A元件数量：1
端子数量：4最大通态电流：550000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1200 A
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKT553/12E 数据手册

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SKT 553 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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03-05-2006 TGR  
© by SEMIKRON  
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与SKT553/12E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT553/14E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1200A I(T)RMS, 550000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1
SKT553SG SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
SKT593F08DS SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 590000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El
SKT593F09DS SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 590000mA I(T), 900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 El
SKT593F10DS SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 590000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1
SKT5S EIC

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SKT6 EIC

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SKT600 SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT600/08D SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT600/08E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1400A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-200AC

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