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SKT600/18E PDF预览

SKT600/18E

更新时间： 2024-11-29 03:31:47
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
4页 751K
描述
Line Thyristor

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SKT600/18E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BUTTON
包装说明：DISK BUTTON, O-MXDB-X3针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.82外壳连接：ISOLATED
标称电路换相断开时间：200 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：500 mA
JEDEC-95代码：TO-200ACJESD-30 代码：O-MXDB-X3
JESD-609代码：e2最大漏电流：80 mA
通态非重复峰值电流：12000 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：600000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1400 A
重复峰值关态漏电流最大值：80000 µA断态重复峰值电压：1800 V
重复峰值反向电压：1800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKT600/18E 数据手册

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SKT 600 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKT  
1
06-08-2007 MAJ  
© by SEMIKRON  
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与SKT600/18E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT600_09 SEMIKRON

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
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 		THYRISTOR
SKT70F10DT SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1000V V(DRM)

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