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SKT551/12E

更新时间: 2024-11-29 03:02:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
4页 959K
描述
Thyristors

SKT551/12E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:BUTTON
包装说明:DISK BUTTON, O-MXDB-X4针数:2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.73标称电路换相断开时间:150 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
最大直流栅极触发电流:250 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:500 mAJEDEC-95代码:TO-200AB
JESD-30 代码:O-MXDB-X4JESD-609代码:e2
最大漏电流:50 mA通态非重复峰值电流:9000 A
元件数量:1端子数量:4
最大通态电流:550000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1200 A重复峰值关态漏电流最大值:50000 µA
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:1200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

SKT551/12E 数据手册

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SKT 551 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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06-08-2007 MAJ  
© by SEMIKRON