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SKT551/16E PDF预览

SKT551/16E

更新时间： 2024-11-29 03:02:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
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4页 959K
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Thyristors

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SKT551/16E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BUTTON
包装说明：DISK BUTTON, O-MXDB-X4针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.79标称电路换相断开时间：150 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：250 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：500 mAJEDEC-95代码：TO-200AB
JESD-30 代码：O-MXDB-X4JESD-609代码：e2
最大漏电流：50 mA通态非重复峰值电流：9000 A
元件数量：1端子数量：4
最大通态电流：550000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1200 A重复峰值关态漏电流最大值：50000 µA
断态重复峰值电压：1600 V重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCR

SKT551/16E 数据手册

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SKT 551 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKT  
1
06-08-2007 MAJ  
© by SEMIKRON  
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与SKT551/16E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT551/18E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1200A I(T)RMS, 550000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 El
SKT553/12E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1200A I(T)RMS, 550000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1

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