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SKT50/12E

更新时间： 2024-11-29 03:31:47

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		/
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SKT50/12E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-65
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.23	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大维持电流：	200 mA	JEDEC-95代码：	TO-208AC
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	JESD-609代码：	e3/e4
通态非重复峰值电流：	1000 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	50000 A
最高工作温度：	130 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	78 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN/SILVER	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

SKT50/12E 数据手册

Thyristors

V_RSMV_RRM

I_TRMS(maximum values for continuous operation)

(_dt)

V_DRM

63 A

78 A

SKT 40

SKT 50

_TAV(sin. 180; T_case= . . . °C)

V/µs

40 A (80 °C)

50 A (78 °C)

500

700

900

400

600

800

500

SKT 40/04 D

SKT 40/06 D

SKT 40/08 D

SKT 40/12 E

SKT 40/14 E

SKT 40/16 E

–

SKT 50/06 D*

SKT 50/08 D

SKT 50/12 E*

SKT 50/14 E*

SKT 50/16 E*

1300 1200 1000

1500 1400 1000

1700 1600 1000

1900 1800 1000

SKT 40/18 E

♦

SKT 50/18 E♦

Symbol Conditions

SKT 40

SKT 50

Units

I_TAV

I_TSM

sin. 180; T_case= 85 °C

Features

• Hermetic metal cases with

glass insulators

T_vj= 25 °C; 10 ms

T_vj= 130 °C; 10 ms

700

600

1050

900

i²t

T_vj= 25 °C; 8,35 ... 10 ms

T_vj= 130 °C; 8,35 ... 10 ms

2500

1800

5000

4000

A²s

• Threaded studs ISO M8

t_gd

T_vj= 25 °C; I_G= 1 A;

di_G/dt = 1 A/µs

UNF 1/4-28

typ. 1

typ. 1,5

µs

A/µs

µs

• International standard cases

t_gr

(di/dt)_cr

I_H

I_L

t_q

V_D= 0,67 V_DRM

= 50 . . . 60 Hz

Typical Applications

• DC motor control

(e. g. for machine tools)

• Controlled rectifiers

(e. g. for battery charging)

• AC controllers

T_vj= 25 °C

typ. 100; max. 200

typ. 250; max. 400

100

T_vj= 25 °C; R_G= 33 Ω

T_vj= 130 °C; typ.

V_T

T_vj= 25 °C; I_T= 120 A; max.

1,95

1,0

1,8

1,1

(e. g. for temperature control)

V_T(TO)T_vj= 130 °C

r_TT_vj= 130 °C

mΩ

I_DD, I_RDT_vj= 130 °C; V_DD= V_DRM

V_RD= V_RRM

V_GT

I_GT

V_GD

I_GD

T_vj= 25 °C

T_vj= 130 °C

150

0,25

R_thjc

cont.

sin. 180

rec. 120

0,60

0,66

0,70

0,57

0,60

0,65

°C/W

R_thch

T_vj

T_stg

0,20

– 40 ... +130

– 55 ... +150

°C/W

°C

SI units

US units

4 (UNF: 2,5)

35 (UNF: 22)

lb. in.

5 9,81

m/s²

2,2

Case

B 3

♦

available in limited quantities

B 3 – 13

* Available with UNF thread 1/4-28 UNF2A, e.g. SKT 50/06 D UNF

12 3 4 5

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与SKT50/12E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKT50/12EUNF	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 78A I(T)RMS, 45000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele
SKT50/14E	SEMIKRON	获取价格	Thyristors
SKT50/14EUNF	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 78A I(T)RMS, 45000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Ele
SKT50/16E	SEMIKRON	获取价格	Thyristors
SKT50/16EUNF	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 78A I(T)RMS, 45000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Ele
SKT50/18E	SEMIKRON	获取价格	Thyristors
SKT50_10	SEMIKRON	获取价格	Line Thyristor
SKT510F12DS	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 510000mA I(T), 1200V V(DRM)
SKT510F12DT	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 510000mA I(T), 1200V V(DRM)
SKT510F12DU	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 510000mA I(T), 1200V V(DRM)

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