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SKT50/16EUNF PDF预览

SKT50/16EUNF

更新时间： 2024-11-29 19:56:35
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
4页 153K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 78A I(T)RMS, 45000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN

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SKT50/16EUNF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-65
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.7外壳连接：ANODE
标称电路换相断开时间：100 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：100 mA
JEDEC-95代码：TO-208ACJESD-30 代码：O-MUPM-D2
JESD-609代码：e2最大漏电流：8 mA
通态非重复峰值电流：1000 A元件数量：1
端子数量：2最大通态电流：45000 A
最高工作温度：130 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：78 A
重复峰值关态漏电流最大值：8000 µA断态重复峰值电压：1600 V
重复峰值反向电压：1600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKT50/16EUNF 数据手册

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Thyristors  
VRSM VRRM  
ITRMS (maximum values for continuous operation)  
dv  
(dt)  
VDRM  
63 A  
78 A  
cr  
SKT 40  
SKT 50  
ITAV (sin. 180; Tcase = . . . °C)  
40 A (80 °C) 50 A (78 °C)  
V
V
V/µs  
500  
700  
900  
400  
600  
800  
500  
500  
500  
SKT 40/04 D  
SKT 40/06 D  
SKT 40/08 D  
SKT 40/12 E  
SKT 40/14 E  
SKT 40/16 E  
–
SKT 50/06 D*  
SKT 50/08 D  
SKT 50/12 E*  
SKT 50/14 E*  
SKT 50/16 E*  
1300 1200 1000  
1500 1400 1000  
1700 1600 1000  
1900 1800 1000  
SKT 40/18 E  
♦
SKT 50/18 E♦  
Symbol Conditions  
SKT 40  
SKT 50  
Units  
ITAV  
ITSM  
sin. 180; Tcase = 85 °C  
Tvj 25 °C; 10 ms  
38  
45  
A
Features  
=
700  
600  
1050  
900  
A
A
T
vj = 130 °C; 10 ms  
Tvj 25 °C; 8,35 ... 10 ms  
Tvj = 130 °C; 8,35 ... 10 ms  
•
Hermetic metal cases with  
glass insulators  
i2t  
=
2500  
1800  
5000  
4000  
A2s  
A2s  
•
Threaded studs ISO M8  
or  
tgd  
Tvj = 25 °C; IG = 1 A;  
UNF 1/4-28  
International standard cases  
diG/dt = 1 A/µs  
VD = 0,67 VDRM  
typ. 1  
typ. 1,5  
50  
µs  
µs  
A/µs  
mA  
mA  
µs  
•
.
tgr  
(di/dt)cr  
IH  
IL  
tq  
Typical Applications  
f
=
=
=
50 . . . 60 Hz  
25 °C  
•
•
•
DC motor control  
(e. g. for machine tools)  
Controlled rectifiers  
(e. g. for battery charging)  
AC controllers  
Tvj  
Tvj  
typ. 100; max. 200  
typ. 250; max. 400  
100  
25 °C; RG = 33 Ω  
Tvj = 130 °C; typ.  
VT  
Tvj 25 °C; IT = 120 A; max.  
=
1,95  
1,0  
9
1,8  
1,1  
5
V
V
(e. g. for temperature control)  
VT(TO) Tvj = 130 °C  
rT Tvj = 130 °C  
mΩ  
IDD, IRD Tvj = 130 °C; VDD = VDRM  
VRD = VRRM  
8
8
mA  
VGT  
IGT  
VGD  
IGD  
Tvj  
Tvj  
=
=
25 °C  
25 °C  
3
150  
0,25  
5
V
mA  
V
Tvj = 130 °C  
Tvj = 130 °C  
mA  
Rthjc  
cont.  
sin. 180  
rec. 120  
0,60  
0,66  
0,70  
0,57  
0,60  
0,65  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Rthch  
Tvj  
Tstg  
0,20  
– 40 ... +130  
– 55 ... +150  
°C/W  
°C  
°C  
M
SI units  
US units  
4 (UNF: 2,5)  
35 (UNF: 22)  
Nm  
lb. in.  
a
w
5
9,81  
m/s2  
g
.
2,2  
Case  
B 3  
♦
available in limited quantities  
B 3 – 13  
* Available with UNF thread 1/4-28 UNF2A, e.g. SKT 50/06 D UNF  
© by SEMIKRON 0895  
1234

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与SKT50/16EUNF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT50/18E SEMIKRON

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 		Thyristors
SKT50_10 SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT510F12DS SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510000mA I(T), 1200V V(DRM)
SKT510F12DT SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 510000mA I(T), 1200V V(DRM)
SKT510F12DU SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 510000mA I(T), 1200V V(DRM)
SKT513F04DT SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 El
SKT513F08DT SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El
SKT513F09DT SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 El
SKT513F10DT SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1
SKT513F11DT SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1

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