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SKT510F12DS

更新时间: 2024-11-29 19:10:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 319K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 510000mA I(T), 1200V V(DRM)

SKT510F12DS 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.81标称电路换相断开时间:15 µs
关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us最大直流栅极触发电流:250 mA
最大直流栅极触发电压:4 V最大维持电流:400 mA
通态非重复峰值电流:11000 A最大通态电流:510000 A
最高工作温度:125 °C断态重复峰值电压:1200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

SKT510F12DS 数据手册

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