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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> SKT50/18E
SKT50/18E PDF预览

SKT50/18E

更新时间： 2024-11-29 03:31:47
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
5页 264K
描述
Thyristors

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SKT50/18E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-65
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.75Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：100 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：200 mAJEDEC-95代码：TO-208AC
JESD-30 代码：O-MUPM-D2JESD-609代码：e2
最大漏电流：8 mA通态非重复峰值电流：1000 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：45000 A最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：78 A断态重复峰值电压：1800 V
重复峰值反向电压：1800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKT50/18E 数据手册

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Thyristors  
VRSM VRRM  
ITRMS (maximum values for continuous operation)  
dv  
(dt)  
VDRM  
63 A  
78 A  
cr  
SKT 40  
SKT 50  
I
TAV (sin. 180; Tcase = . . . °C)  
V
V
V/µs  
40 A (80 °C)  
50 A (78 °C)  
500  
700  
900  
400  
600  
800  
500  
500  
500  
SKT 40/04 D  
SKT 40/06 D  
SKT 40/08 D  
SKT 40/12 E  
SKT 40/14 E  
SKT 40/16 E  
–
SKT 50/06 D*  
SKT 50/08 D  
SKT 50/12 E*  
SKT 50/14 E*  
SKT 50/16 E*  
1300 1200 1000  
1500 1400 1000  
1700 1600 1000  
1900 1800 1000  
SKT 40/18 E  
♦
SKT 50/18 E♦  
Symbol Conditions  
SKT 40  
SKT 50  
Units  
ITAV  
ITSM  
sin. 180; Tcase = 85 °C  
38  
45  
A
Features  
• Hermetic metal cases with  
glass insulators  
Tvj = 25 °C; 10 ms  
Tvj = 130 °C; 10 ms  
700  
600  
1050  
900  
A
A
i2t  
Tvj = 25 °C; 8,35 ... 10 ms  
Tvj = 130 °C; 8,35 ... 10 ms  
2500  
1800  
5000  
4000  
A2s  
A2s  
• Threaded studs ISO M8  
or  
tgd  
Tvj = 25 °C; IG = 1 A;  
diG/dt = 1 A/µs  
UNF 1/4-28  
typ. 1  
typ. 1,5  
50  
µs  
µs  
A/µs  
mA  
mA  
µs  
• International standard cases  
.
tgr  
(di/dt)cr  
IH  
IL  
tq  
VD = 0,67 VDRM  
= 50 . . . 60 Hz  
Typical Applications  
• DC motor control  
(e. g. for machine tools)  
• Controlled rectifiers  
(e. g. for battery charging)  
• AC controllers  
f
Tvj = 25 °C  
typ. 100; max. 200  
typ. 250; max. 400  
100  
Tvj = 25 °C; RG = 33 Ω  
Tvj = 130 °C; typ.  
VT  
Tvj = 25 °C; IT = 120 A; max.  
1,95  
1,0  
9
1,8  
1,1  
5
V
V
(e. g. for temperature control)  
VT(TO) Tvj = 130 °C  
rT Tvj = 130 °C  
mΩ  
IDD, IRD Tvj = 130 °C; VDD = VDRM  
VRD = VRRM  
8
8
mA  
VGT  
IGT  
VGD  
IGD  
Tvj = 25 °C  
Tvj = 25 °C  
Tvj = 130 °C  
Tvj = 130 °C  
3
150  
0,25  
5
V
mA  
V
mA  
Rthjc  
cont.  
sin. 180  
rec. 120  
0,60  
0,66  
0,70  
0,57  
0,60  
0,65  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Rthch  
Tvj  
Tstg  
0,20  
– 40 ... +130  
– 55 ... +150  
°C/W  
°C  
°C  
M
SI units  
US units  
4 (UNF: 2,5)  
35 (UNF: 22)  
Nm  
lb. in.  
a
w
5 9,81  
m/s2  
g
.
2,2  
Case  
B 3  
♦
available in limited quantities  
B 3 – 13  
* Available with UNF thread 1/4-28 UNF2A, e.g. SKT 50/06 D UNF  
© by SEMIKRON 0895  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT50_10 SEMIKRON

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 		Line Thyristor
SKT510F12DS SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510000mA I(T), 1200V V(DRM)
SKT510F12DT SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510000mA I(T), 1200V V(DRM)
SKT510F12DU SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510000mA I(T), 1200V V(DRM)
SKT513F04DT SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 El
SKT513F08DT SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El
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 		Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 El
SKT513F10DT SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1300A I(T)RMS, 510000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1
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