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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.74 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 子类别： | FET General Purpose Power | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKM181F | SEMIKRON |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SKM181FC | SEMIKRON |
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Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SKM181FR | SEMIKRON |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SKM191 | SEMIKRON |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.37ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SKM191C | SEMIKRON |
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Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SKM191F | SEMIKRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SKM191FC | SEMIKRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SKM195GAL062D | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 230A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE D61, 7 PIN |
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| SKM195GAL063DN | SEMIKRON |
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Superfast NPT-IGBT Modules |
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| SKM195GAL066D | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules |
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