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SKM200GAL126D

更新时间： 2024-11-24 22:43:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 753K
描述
Trench IGBT Modules

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SKM200GAL126D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：260 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X5
JESD-609代码：e3/e4元件数量：1
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：IEC-60747-1子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN/SILVER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：650 ns
标称接通时间 (ton)：300 nsVCEsat-Max：2.15 V

SKM200GAL126D 数据手册

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SKM 200GB126D ...  
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Characteristics  
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© by SEMIKRON  
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