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SKM200GB123D_06

更新时间: 2024-11-25 04:04:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 647K
描述
Trench IGBT Modules

SKM200GB123D_06 数据手册

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SKM 200GB123D  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Units  
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.9 5 16 7*  
/122  
122  
+
+
&
.9 5 /62 7*  
.
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*
.
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®
SEMITRANS 3  
Inverse Diode  
Trench IGBT Modules  
&
.9 5 /62 7*  
.
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122  
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+
+
(
.
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022  
+
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SKM 200GB123D  
SKM 200GAL123D  
SKM 200GAR123D  
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.9 5 /62 7*  
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Freewheeling Diode  
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.9 5 /62 7*  
.
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+
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.
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D22  
+
+
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 5 /2 ꢗꢘ? ꢘꢄꢅC  
.9 5 /62 7*  
/;22  
(ꢃꢁ  
Features  
Module  
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+
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7*  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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min.  
typ.  
max. Units  
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Dꢖ6  
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.9 5 16 7*  
.9 5 16 7*  
.9 5 /16 7*  
.9 5 167*  
.9 5 /167*  
2ꢖ/  
/ꢖD  
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Fꢖ00  
/2  
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ꢗ+  
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*82  
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*8  
=8 5 /6   
Gꢖ00  
/1ꢖ$$  
ꢗH  
ꢗH  
Typical Applications  
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34ꢃ  
*8ꢉꢘꢍꢈꢓ  
&
*ꢅꢋꢗ 5 /62 +ꢖ =8 5 /6  .9 5 7*ꢐꢕꢄꢆꢌꢏꢊC  
1ꢖ6  
0
*
/2  
/0  
1
ꢅ(  
ꢅ(  
ꢄꢏꢘ  
*
*8 5 16ꢖ =8 5 2   
# 5 / ꢁ!I  
/ꢖ6  
ꢋꢏꢘ  
*
2ꢖ;  
/622  
1ꢖ6  
/ꢖ1  
ꢅ(  
ꢅ*  
K
ꢑꢏꢘ  
J=  
=8 5 ';ꢛ ' E12ꢛ  
.9 5 7*  
<
=ꢄꢅꢈ  
ꢒꢉꢋꢅꢓ  
 
112  
/22  
1D  
D22  
122  
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ꢗL  
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ꢅꢘ  
<
=ꢋꢅ 5 6ꢖ$ H  
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#  
&*ꢅꢋꢗ5 /62+  
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.9 5 /16 7*  
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2ꢖ2G  
MNO  
ꢈꢕꢉ9'ꢐꢓ  
GB  
GAL  
GAR  
1
07-03-2007 RAA  
© by SEMIKRON  

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