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SKM200GB12T4

更新时间： 2024-11-25 04:04:27

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	478K
描述
IGBT4 Modules

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SKM200GB12T4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-204	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.12
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	310 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	507 ns
标称接通时间 (ton)：	225 ns	VCEsat-Max：	2.05 V
Base Number Matches：	1

SKM200GB12T4 数据手册

SKM 200GB12T4

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Features

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Symbol Conditions

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MJN

13-09-2007 SCH

12 3 4 5

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SKM200GB12T4 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SKM200GB12V	SEMIKRON	完全替代	SEMITRANS? 3
FF200R12KT4HOSA1	INFINEON	功能相似	Insulated Gate Bipolar Transistor, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

与SKM200GB12T4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKM200GB12T4_09	SEMIKRON	获取价格	Fast IGBT4 Modules
SKM200GB12T4_0906	SEMIKRON	获取价格	Fast IGBT4 Modules
SKM200GB12T4D	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 285A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D56, SEMITRA
SKM200GB12T4SIC	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
SKM200GB12T4SiC2	SEMIKRON	获取价格	SiC Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)
SKM200GB12V	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS? 3
SKM200GB12V_1106	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS? 3
SKM200GB163D	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM200GB173D	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM200GB173D_06	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules

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