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SKM200GAL12T4

更新时间： 2024-11-25 06:11:51

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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Fast IGBT4 Modules

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SKM200GAL12T4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-204	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	314 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	507 ns
标称接通时间 (ton)：	225 ns	VCEsat-Max：	2.05 V
Base Number Matches：	1

SKM200GAL12T4 数据手册

SKM200GAL12T4

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1200

314

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 175 °C

242

I_Cnom

200

I_CRM

I_CRM= 3xI_Cnom

600

V_GES

-20 ... 20

SEMITRANS^®3

V_CC= 800 V

V_GE≤ 15 V

V_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Fast IGBT4 Modules

SKM200GAL12T4

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

229

172

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

200

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

600

Features

990

• IGBT4 = 4. Generation (Trench)IGBT

• VCEsat with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability, self

limiting to 6 x I_CNOM

-40 ... 175

°C

Freewheeling diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

229

172

T_j= 175 °C

• Soft switching 4. Generation CAL

diode (CAL4)

I_Fnom

200

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

600

Typical Applications

• DC/DC – converter

• Brake chopper

990

-40 ... 175

°C

• Switched reluctance motor

• DC – Motor

Module

I_t(RMS)

T_stg

500

-40 ... 125

4000

°C

Remarks

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

• Case temperature limited to

Tc = 125°C max, recomm.

Top = -40 ... +150°C, product

rel. results valid for Tj = 150°

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 200 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.8

2.2

2.05

2.4

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.8

0.7

5.0

7.5

5.8

0.1

0.9

0.8

5.8

8.0

6.5

0.3

mΩ

V_GE= 15 V

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 7.6 mA

T_j= 25 °C

Ω

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

12.3

0.81

0.69

1130

3.8

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

GAL

Rev. 0 – 10.03.2009

12 3 4 5

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