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SKM195GAL07E3

更新时间： 2024-11-26 14:54:19
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 600K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 2 (94x34x30)

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SKM195GAL07E3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.63
Base Number Matches：1

SKM195GAL07E3 数据手册

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SKM195GAL07E3  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
650  
266  
201  
200  
600  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3xICnom  
VCC = 360 V  
-20 ... 20  
SEMITRANS® 2  
Trench IGBT Modules  
SKM195GAL07E3  
Features  
V
V
GE ≤ 15 V  
CES ≤ 650 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
6
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
650  
217  
157  
200  
400  
V
A
A
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 2xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
1470  
-40 ... 175  
A
°C  
• High short circuit capability, self limiting  
to 6 x Icnom  
• Fast & soft inverse CAL diodes  
• Insulated copper baseplate using DBC  
Technology (Direct Copper Bonding)  
• With integrated gate resistor  
Freewheeling diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
650  
217  
157  
200  
400  
V
A
A
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
Typical Applications*  
IFRM = 2xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• Electronic welders  
• DC/DC – converter  
• Brake chopper  
1470  
-40 ... 175  
A
°C  
• Switched reluctance motor  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
200  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
Remarks  
• Case temperature limited  
to Tc = 125°C max.  
module without TIM  
Visol  
AC sinus 50 Hz, t = 1 min  
• Recommended Top = -40 ... +150°C  
• Product reliability results valid  
for Tj = 150°C  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
• Use of soft RG necessary  
IC = 200 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.46  
1.70  
1.90  
2.10  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.90  
0.82  
2.8  
4.4  
5.8  
1.00  
0.90  
4.5  
6.0  
6.4  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
chiplevel  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 3.2 mA  
Tj = 25 °C  
5.1  
0.3  
VGE = 0 V  
CE = 650 V  
V
Tj = 150 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
-
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
12.3  
0.77  
0.37  
1600  
2.0  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
RGint  
GAL  
© by SEMIKRON  
Rev. 2.0 – 01.08.2018  
1
1234567

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