5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 34 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 34 A | 最大漏源导通电阻： | 0.32 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 800 pF |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 700 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 700 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 136 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKM191 | SEMIKRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.37ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SKM191C | SEMIKRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| SKM191F | SEMIKRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| SKM191FC | SEMIKRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| SKM195GAL062D | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 230A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE D61, 7 PIN |
|
| SKM195GAL063DN | SEMIKRON |
获取价格 |
Superfast NPT-IGBT Modules |
|
| SKM195GAL066D | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
|
| SKM195GAL07E3 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules SEMITRANS 2 (94x34x30) |
|
| SKM195GAL124DN | SEMIKRON |
获取价格 |
Low Loss IGBT Modules |
|
| SKM195GAL126D | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
