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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-204 |
| 包装说明： | CASE D 94, SEMITRANS 2N, 5 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.61 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 250 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X5 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 830 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 510 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 205 ns | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKM195GAL066D | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
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| SKM195GAL07E3 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules SEMITRANS 2 (94x34x30) |
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| SKM195GAL124DN | SEMIKRON |
获取价格 |
Low Loss IGBT Modules |
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| SKM195GAL126D | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
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| SKM195GAL126DN | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Module |
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| SKM195GAR063DN | SEMIKRON |
获取价格 |
Superfast NPT-IGBT Modules |
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| SKM195GAR07E3 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules SEMITRANS 2 (94x34x30) |
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| SKM195GB062D | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 230A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE D61, 7 PIN |
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| SKM195GB063DN | SEMIKRON |
获取价格 |
Superfast NPT-IGBT Modules |
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| SKM195GB066D | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
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