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SKM195GB126DN

更新时间： 2024-11-25 04:04:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 604K
描述
Trench IGBT Module

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SKM195GB126DN 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：CASE D 93, SEMITRANS 2N, 7 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：220 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e2元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：660 ns
标称接通时间 (ton)：340 nsBase Number Matches：1

SKM195GB126DN 数据手册

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SKM 195GB126DN  
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Characteristics  
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1
14-06-2005 SEN  
© by SEMIKRON  
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