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SKCD10C120I4 PDF预览

SKCD10C120I4

更新时间： 2024-11-14 19:47:15
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 190K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 9A, 1200V V(RRM), Silicon, 3.16 X 3.16 MM, DIE-2

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SKCD10C120I4 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：S-XUUC-N2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.40风险等级：5.84
其他特性：FREEWHEELING DIODE应用：SOFT RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-XUUC-N2
最大非重复峰值正向电流：65 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：9 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.79 µs
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

SKCD10C120I4 数据手册

 浏览型号SKCD10C120I4的Datasheet PDF文件第2页 
SKCD 10 C 120 I4  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C, IR = 0.06 mA  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
1200  
9
V
A
Tc = 80 °C, Tj = 175 °C, Fi=PI/2  
Tj = 25 °C  
10 ms  
65  
A
sin 180°  
Tj = 150 °C  
65  
A
Tjmax  
175  
°C  
Electrical Characteristics  
Symbol Conditions  
CAL-DIODE  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IF = 15 A  
i2t  
IR  
21  
0.06  
A2s  
mA  
mA  
V
Tj = 150 °C, sin 180°, 10 ms  
Tj = 25 °C, VRRM = 1200 V  
VRRM = 1200 V  
Tj = 150 °C, VRRM = 1200 V  
Tj = 25 °C, IF = 15 A  
Tj = 150 °C, IF = 15 A  
Tj = 175 °C, IF = 15 A  
Tj = 150 °C  
0.90  
2.38  
2.44  
2.26  
0.90  
102.8  
0.82  
96.10  
1.80  
Size: 3,16 mm x 3,16 mm  
VF  
2.71  
2.77  
V
2.58  
V
SKCD 10 C 120 I4  
V(TO)  
rT  
1.10  
V
Tj = 150 °C  
111.60  
0.98  
mΩ  
V
Tj = 175 °C  
V(TO)  
rT  
Features  
• max. junction 175 °C  
Tj = 175 °C  
106.80  
mΩ  
• very low forward voltage drop  
• positive temperature coefficient  
• extreme soft recovery  
Dynamic Characteristics  
Symbol Conditions  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Typical Applications*  
• freewheeling diode for IGBT  
Tj = 150 °C, 15 A, 600 V, 230 A/µs  
trr  
0.79  
0.6  
µs  
mJ  
A
Tj = 150 °C, 15 A, 600 V, 230 A/µs  
Tj = 150 °C, 15 A, 600 V, 230 A/µs  
Err  
Irrm  
10.6  
Thermal Characteristics  
Symbol Conditions  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Tj  
-40  
-40  
175  
175  
250  
320  
°C  
°C  
Tstg  
Tsolder  
Tsolder  
Rth(j-c)  
10 min.  
°C  
5 min.  
°C  
Semitrans Assembly  
3.01  
K/W  
Mechanical Characteristics  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Raster  
size  
3.16 x 3.16  
mm2  
mm2  
Area total  
10  
Anode  
Metallization  
Metallization  
bondable (Al)  
Cathode  
Wire bond  
Package  
solderable (Ag/Ni)  
Al, typ. diameter = 300 µm  
wafer frame  
Chips /  
Package  
1533  
pcs  
SKCD  
© by SEMIKRON  
Rev. 1 – 19.02.2010  
1
12

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