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SKCD18C120I PDF预览

SKCD18C120I

更新时间： 2024-11-14 17:50:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 118K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon,

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SKCD18C120I 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-XUUC-N2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.40风险等级：5.75
其他特性：FREE-WHEELING DIODE应用：SOFT RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.5 V
JESD-30 代码：R-XUUC-N2最大非重复峰值正向电流：180 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

SKCD18C120I 数据手册

 浏览型号SKCD18C120I的Datasheet PDF文件第2页 
Absolute Maximum Ratings  
SEMICELL  
CAL - Diode Chips3)  
Symbol  
Conditions 1)  
Values  
Units  
VRRM  
IFSM  
1200  
V
SKCD 18C 120 I  
(≥ 2 bondwires 300 µm  
)
tp = 10 ms; sin; Tj = 150 °C  
tp = 10 ms; sin; Tj = 150 °C  
max. 120 s (transfer)  
min  
180  
162  
375  
– 55  
+ 150  
A
A2s  
°C  
°C  
°C  
4,2 x 4,2 mm; 15 A4); 1200 V  
I2  
t
Tsolder  
Tvj, Tstg  
Tvj, Tstg  
max  
Characteristics  
Symbol  
Conditions 1)  
min.  
typ.  
max.  
Units  
IRM  
VF  
Tj = 25 °C/125 °C; VRRM  
IF = 15 A; Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
0,1 / 2  
2,5  
2,3  
mA  
V
V
V
V
2,0  
1,8  
2,3  
2,15  
1,0  
50  
VF  
IF = 22 A;  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
VT(TO)  
rT  
IRRM  
Tj = 125 °C, see Fig. 1  
Tj = 125 °C  
1,2  
75  
V
mΩ  
IF = 15 A; 2)  
Tj = 125 °C  
16  
1,5  
2,7  
250  
A
Qrr  
IF = 15 A; Tj = 25 °C  
µC  
µC  
°C  
°C  
2)  
Tj = 125 °C  
Tsolder  
Tsolder  
10 min  
5 min  
320  
Features  
•
•
•
Low voltage drop  
low temperature dependence  
Very soft reverse recovery  
under all conditions  
CAL = Controlled Axial  
Lifetime Technology  
Top side = Al for bonding  
by aluminum wire  
Mechanical Data  
Atot  
Aact.  
w
total area  
active area  
weight  
17,6  
9,2  
12  
mm2  
mm2  
mg  
•
•
•
Supplied on frames  
Please contact factory  
Bottom = 4 layer metallisation  
for soldering  
Typical Applications  
•
Inverse diode for IGBT  
(in inverter drives)  
•
Freewheeling diode in brake  
choppers or step-up choppers  
with IGBT or MOSFET  
UPS Uninteruptible Power  
Supplies  
1)  
Tcase = 25 °C, unless otherwise specified  
VR = 600 V; – diF/dt = 400 A/µs;  
CAL = Controlled Axial Lifetime Technology  
Soldered on DCB ceramic (Al2O3) 0,4 mm thick  
on a 3 mm copper base plate Rthjc = 1,5 K/W  
2)  
•
•
3)  
4)  
5)  
Hybrid circuits for static power  
converters  
Tjm = 150 °C; Tcase = 80 °C.  
DCB = Direct Copper Bonding Technology  
© by SEMIKRON  
0896  
B 15 – 21  
12

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