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SKCD31C120I4F

更新时间： 2024-11-14 09:24:31
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 159K
描述
CAL-DIODE

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SKCD31C120I4F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：DIE-2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.40
风险等级：5.74其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：SOFT RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.54 VJESD-30 代码：S-XXUC-N2
最大非重复峰值正向电流：270 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：31 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：IEC-60747-1
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：60 µA
最大反向恢复时间：0.53 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SKCD31C120I4F 数据手册

 浏览型号SKCD31C120I4F的Datasheet PDF文件第2页 
SKCD 31 C 120 I4F  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C, IR = 0.06 mA  
Tc = 80 °C, Tj = 175 °C, Fi=PI/2  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
1200  
31  
270  
270  
175  
V
A
A
A
°C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
10 ms  
sin 180°  
Tjmax  
Electrical Characteristics  
Symbol Conditions  
CAL-DIODE  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IF = 50 A  
VRRM = 1200 V  
Size: 5,60 mm x 5,60 mm  
Tj = 150 °C, sin 180°, 10 ms  
Tj = 25 °C, VRRM = 1200 V  
i²t  
IR  
365  
0.06  
8.80  
2.54  
2.50  
2.34  
1.10  
27.90  
0.98  
27.30  
A²s  
mA  
mA  
V
V
V
V
m  
V
Tj = 150 °C, VRRM = 1200 V  
Tj = 25 °C, IF = 50 A  
Tj = 150 °C, IF = 50 A  
Tj = 175 °C, IF = 50 A  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 175 °C  
Tj = 175 °C  
4.40  
2.22  
2.18  
2.03  
0.90  
25.6  
0.82  
24.20  
VF  
V(TO)  
rT  
V(TO)  
rT  
SKCD 31 C 120 I4F  
Features  
m  
• max. junction 175 °C  
Dynamic Characteristics  
Symbol Conditions  
• very low forward voltage drop  
• positive temperature coefficient  
• extreme soft recovery  
min.  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Tj = 150 °C, 50 A, 600 V, 1000 A/µs  
Tj = 150 °C, 50 A, 600 V, 1000 A/µs  
Tj = 150 °C, 50 A, 600 V, 1000 A/µs  
trr  
Err  
Irrm  
0.53  
2.6  
46  
µs  
mJ  
A
Typical Applications*  
• freewheeling diode for IGBT  
Thermal Characteristics  
Symbol Conditions  
typ.  
max.  
Unit  
Tj  
Tstg  
Tsolder  
Tsolder  
Rth(j-c)  
-40  
-40  
175  
175  
250  
320  
°C  
°C  
°C  
°C  
K/W  
10 min.  
5 min.  
Semitrans Assembly  
1.00  
Mechanical Characteristics  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Raster  
size  
Area total  
5.60 x 5.60  
mm2  
mm²  
31  
Anode  
Metallization  
Metallization  
bondable (Al)  
Cathode  
Wire bond  
Package  
solderable (Ag/Ni)  
Al, typ. diameter = 300 µm  
wafer frame  
Chips /  
Package  
470  
pcs  
SKCD  
© by SEMIKRON  
Rev. 0 – 16.03.2011  
1
12

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