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SKCD23C120I3

更新时间： 2024-11-14 03:31:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
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2页 161K
描述
SEMICELL CAL-DIODE

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SKCD23C120I3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：WAFER
包装说明：R-XUUC-N1针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.40风险等级：5.84
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：SOFT RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.3 V
JESD-30 代码：R-XUUC-N1JESD-609代码：e3/e4
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：TIN/SILVER
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SKCD23C120I3 数据手册

 浏览型号SKCD23C120I3的Datasheet PDF文件第2页 
SKCD 23 C 120 I3SEMIKRON, leading manufacturer of diode thyristor power semicondictor modules  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
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Units  
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Electrical Characteristics  
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SEMICELL CAL-DIODE  
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SKCD 23 C 120 I3  
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F
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V
= 1200 V  
RRM  
Size: 6,56 mm X 3,53 mm  
Package: wafer frame  
Dynamic Characteristics  
Symbol Conditions  
min.  
typ.  
max. Units  
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Features  
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Thermal Characteristics  
Symbol Conditions  
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SKCD  
1
08-12-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
12

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