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SKB33/10

更新时间: 2024-09-19 09:24:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器局域网
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3页 872K
描述
Controllable Bridge Rectifiers

SKB33/10 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, S-MUFM-X8针数:8
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.81Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED标称电路换相断开时间:80 µs
配置:BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE WITH BUILT-IN DIODE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:3 V
快速连接描述:0螺丝端子的描述:2AK-CA-CK
最大维持电流:200 mAJESD-30 代码:S-MUFM-X8
JESD-609代码:e2最大漏电流:10 mA
通态非重复峰值电流:370 A元件数量:2
端子数量:8最大通态电流:33000 A
最高工作温度:130 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified重复峰值关态漏电流最大值:10000 µA
断态重复峰值电压:1000 V重复峰值反向电压:1000 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

SKB33/10 数据手册

 浏览型号SKB33/10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKB33/10的Datasheet PDF文件第3页 
SKB 33  
 
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04-05-2005 SCT  
© by SEMIKRON  

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