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SKB52/18

更新时间： 2024-11-10 09:24:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
3页 406K
描述
Power Bridge Rectifiers

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SKB52/18 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PUFM-X4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.8 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X4JESD-609代码：e2
最大非重复峰值正向电流：425 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：9.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1800 V最大反向电流：0.0005 µA
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SKB52/18 数据手册

 浏览型号SKB52/18的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKB52/18的Datasheet PDF文件第3页 
SKB 52  
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1
06-04-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKB52_07 SEMIKRON

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