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SKB75GHL123D PDF预览

SKB75GHL123D

更新时间： 2024-09-19 21:13:39
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 358K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D78, 17 PIN

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SKB75GHL123D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-X17
元件数量：5端子数量：17
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：450 ns标称接通时间 (ton)：100 ns
Base Number Matches：1

SKB75GHL123D 数据手册

 浏览型号SKB75GHL123D的Datasheet PDF文件第2页 
SEMITRANS® TenPACK  
IGBT Modules  
Absolute Maximum Ratings  
Values  
Symbol  
Conditions 1)  
Units  
SKB 75 GHL 123 D  
Input bridge B2U with  
brake chopper and  
1-phase bridge inverter  
output  
VCES  
VCGR  
IC  
ICM  
VGES  
Ptot  
1200  
1200  
75 / 50  
V
V
A
A
V
W
°C  
V
RGE = 20 kW  
Tcase = 25/80 °C  
Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms  
140 / 100  
± 20  
350 / 125 / 125  
-- 40 . . .+150 (125)  
2 500  
per IGBT/D1/D8, Tcase=25 °C  
Preliminary Data  
Tj, (Tstg  
Visol  
)
AC, 1 min.  
humidity  
climate  
DIN 40 040  
DIN IEC 68 T.1  
Class F  
55/150/56  
9)  
Diodes  
IF  
D1-4  
9)  
D7  
15  
D8  
Tcase = 80 °C  
50  
100  
550  
1500  
A
A
IFM= -- ICM Tcase = 80 °C; tp = 1 ms  
30  
200  
200  
IFSM  
tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C  
tp = 10 ms; Tj = 150 °C  
600  
1800  
A
I2t  
A2s  
TenPack = 4 + 2 + 4 elements  
Characteristics  
Symbol  
Conditions 1)  
min.  
typ.  
max.  
Units  
V(BR)CES  
VGE(th)  
ICES  
VGE = 0, IC = 1 mA  
VGE = VCE, IC = 2 mA  
³ VCES  
4,5  
--  
--  
--  
--  
--  
23  
--  
--  
6,5  
1
--  
200  
V
V
mA  
mA  
nA  
V
5,5  
0,8  
3,5  
--  
ü
VGE = 0  
Tj = 25 °C  
j
ý
VCE = VCES T = 125 °C  
þ
IGES  
VGE = 20 V, VCE = 0  
SKB 75 GHL  
Features  
ü
ì
VCEsat  
VCEsat  
gfs  
IC = 50 A VGE = 15 V;  
2,5(3,1) 3(3,7)  
3(3,8)  
40  
ý
í
IC = 75 A Tj = 25 (125) °Cþ  
--  
--  
V
S
î
VCE = 20 V, IC = 50 A  
·
·
·
·
·
·
Round main terminals (2 mmÆ)  
Easy drilling of PCB  
CCHC  
Cies  
Coes  
Cres  
LCE  
per IGBT  
--  
--  
--  
--  
--  
350  
4300  
650  
300  
60  
pF  
pF  
pF  
pF  
nH  
VGE = 0  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
3300  
500  
220  
ü
Input diodes glass passivated  
1400 V PIV  
ý
þ
High I2t rating (inrush current)  
IGBT is latch-up free, homoge-  
neous silicon-structure  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
VCC = 600 V  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
44  
56  
380  
70  
8
100  
100  
500  
100  
--  
ns  
ns  
ns  
ns  
mWs  
mWs  
ü
ï
VGE = + 15 V / - 15 V 3)  
IC = 50 A, ind. load  
RGon = RGoff = 22 W  
Tj = 125 °C  
·
High short circuit capability,  
self limiting to 6 * Icnom  
ï
ý
ï
·
·
Fast & soft CAL diodes8)  
Isolated copper baseplate  
using DCB Direct Copper Bon-  
ding Technology  
ï
þ
5
--  
Inverse Diode D78) (protection) of brake chopper  
VF = VEC  
VF = VEC  
VTO  
rT  
IRRM  
·
Large clearance (9 mm) and  
creepage distances (13 mm).  
ü
ý
þ
ì
IF = 15 A VGE = 0 V;  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
2,0(1,8)  
2,3(2,1)  
1,1  
45  
12(16)  
1(2,7)  
2,5  
--  
1,2  
70  
--  
V
V
V
mW  
A
mC  
í
IF = 25 A T = 25 (125) °C  
î
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
j
Typical Applications:  
IF = 15 A; Tj = 25 (125) °C2)  
·
·
·
UPS  
Qrr  
IF = 15 A; Tj = 25 (125) °C2)  
--  
AC power-supplies  
Single phase drives  
FWD D8 of brake chopper 8) and inverter  
VF = VEC  
VF = VEC  
VTO  
rT  
IRRM  
ü
ì
1)  
IF = 50 A VGE = 0 V;  
IF = 75 A î Tj = 25 (125) °C  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
2,0 (1,8)  
2,3 (2,1)  
1,1  
18  
23(35)  
2,3(7)  
2,5  
--  
1,2  
22  
--  
V
V
V
mW  
A
mC  
mJ  
ý
Tcase = 25 °C, unless otherwise  
specified  
í
þ
2)  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
IF = -- IC, VR = 600 V,  
-- diF/dt = 800 A/ms, VGE = 0 V  
Use VGEoff = -5 ... - 15 V  
CAL = Controlled Axial Lifetime  
Technology.  
IF = 50 A; Tj = 25 (125) °C2)  
IF = 50 A; Tj = 25 (125) °C2)  
IF = 50 A; Tj = 125 °C2)  
3)  
8)  
Qrr  
Err  
--  
2
9)  
Data D1 - D4, case and  
mech. data ® page 2  
Thermal Characteristics  
Rthjc  
Rthjc  
Rthch  
per IGBT / diode D1..4 9)  
per diode D7 / D8...D12  
per module  
--  
--  
--  
-- 0,35 / 1,0 °C/W  
--  
--  
1,5 / 0,6 °C/W  
0,05 °C/W  
Ó by SEMIKRON  
0297  
1
AM C:\MARKETIN\DATENBL\IGBT\B75GHL.CHP  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKBA1.2/13 SEMIKRON

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 		Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1.2A, 1300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE G1,
SKBAB500 SEMIKRON

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 		Avalanche Bridge Rectifiers
SKBAB500/445-4 SEMIKRON

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 		Avalanche Bridge Rectifiers
SKBAB500_07 SEMIKRON

获取价格

 		Avalanche Bridge Rectifiers
SKBAB500C1000L5B SEMIKRON

获取价格

 		Avalanche Bridge Rectifiers
SKBAB500C1000LSB SEMIKRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1.2A, Silicon, PLASTIC, CASE G 2, 4 PIN
SKBAB500C1500 SEMIKRON

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 		Avalanche Bridge Rectifiers
SKBAB500C3200 SEMIKRON

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 		Avalanche Bridge Rectifiers
SKBAB500C3200/2200 SEMIKRON

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 		Avalanche Bridge Rectifiers
SKBB250C1000L5B SEMIKRON

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 		Miniature Bridge Rectifiers

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