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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> SKB72/12
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SKB72/12

更新时间： 2024-09-19 03:07:23
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 418K
描述
Power Bridge Rectifiers

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SKB72/12 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PUFM-X4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：2.31
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.6 VJESD-30 代码：R-PUFM-X4
JESD-609代码：e2最大非重复峰值正向电流：640 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：0.0005 µA子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SKB72/12 数据手册

 浏览型号SKB72/12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKB72/12的Datasheet PDF文件第3页 
SKB 72  
 
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1
06-04-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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