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SKB50/12A3

更新时间： 2024-11-10 09:24:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
3页 287K
描述
Power Bridge Rectifiers

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SKB50/12A3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：S-MUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.81其他特性：SNUBBER DIODE
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.6 VJESD-30 代码：S-MUFM-X4
JESD-609代码：e2最大非重复峰值正向电流：600 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：METAL封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：1000 µA最大反向恢复时间：10 µs
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SKB50/12A3 数据手册

 浏览型号SKB50/12A3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKB50/12A3的Datasheet PDF文件第3页 
SKB 50  
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23-09-2005 SCT  
© by SEMIKRON  
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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 29A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE SKB 51L-W, 4 PIN

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