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SKB51L12-W

更新时间： 2024-09-19 20:49:59
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 335K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 29A, 1200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE SKB 51L-W, 4 PIN

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SKB51L12-W 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：S-PUFM-W4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：S-PUFM-W4最大非重复峰值正向电流：560 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：29 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

SKB51L12-W 数据手册

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SKB 51L-W  
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1
22-07-2009 ISA  
© by SEMIKRON  
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与SKB51L12-W相关器件

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SKB51L16-W SEMIKRON

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 29A, 1600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE SKB 51L-W, 4 PI
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