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SISC1.4N24E PDF预览

SISC1.4N24E

更新时间: 2024-11-18 19:59:59
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英飞凌 - INFINEON 晶体管
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1页 24K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-2

SISC1.4N24E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.34Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:240 V
最大漏源导通电阻:8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XUUC-N2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

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