Datasheet > SIHFPF40

SIHFPF40

更新时间： 2024-10-17 06:11:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	1598K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHFPF40 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.17
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.7 A	最大漏极电流 (ID)：	4.7 A
最大漏源导通电阻：	2.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	19 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFPF40 数据手册

IRFPF40, SiHFPF40

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

900

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Isolated Central Mounting Hole

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

2.5

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

120

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

TO-247

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because of its isolated mouting hole.

It also provides greater creepage distance between pins to

meet the requirements of most safety specifications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFPF40PbF

SiHFPF40-E3

IRFPF40

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFPF40

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

900

V_GS

_C= 25 °C

4.7

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

500

4.7

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

150

1.5

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 42 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 4.7 A, dI/dt ≤ 110 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91250

S-81377-Rev. A, 30-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与SIHFPF40相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFPF40-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFPF50	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFPF50-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFPG30	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFPG30-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFPG40	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFPG40-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFPG50	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFPG50-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFPS29N60L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与SIHFPF40相关文章

纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

9
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

17
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

26
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

20

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFPF40

SIHFPF40 技术参数

SIHFPF40 数据手册

与SIHFPF40相关器件

与SIHFPF40相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFPF40

SIHFPF40 技术参数

SIHFPF40 数据手册

与SIHFPF40相关器件

与SIHFPF40相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？