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SIHFPS43N50K

更新时间： 2024-10-17 06:11:43

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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RFPS43N50K

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SIHFPS43N50K 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	910 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A
最大漏极电流 (ID)：	47 A	最大漏源导通电阻：	0.09 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	540 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	190 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFPS43N50K 数据手册

IRFPS43N50K, SiHFPS43N50K

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.078

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

350

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

180

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Low R_DS(on)

• Lead (Pb)-free Available

SUPER-247^TM

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

• Hard Switched and High Frequency Circuits

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SUPER-247^TM

IRFPS43N50KPbF

SiHFPS43N50K-E3

IRFPS43N50K

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFPS43N50K

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

190

Linear Derating Factor

4.3

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

910

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

540

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

9.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 0.82 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 47 A (see fig. 12c).

c. I_SD≤ 47 A, dI/dt ≤ 230 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91262

S-81367-Rev. B, 21-Jul-08

www.vishay.com

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