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SIHFR010

更新时间： 2024-10-17 09:25:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 1677K
描述
Power MOSFET

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SIHFR010 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.16Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.2 A
最大漏极电流 (ID)：8.2 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：33 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHFR010 数据手册

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IRFR010, SiHFR010  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Low Drive Current  
• Surface Mount  
• Fast Switching  
• Ease of Paralleling  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
50  
R
DS(on) ()  
VGS = 10 V  
0.20  
Qg (Max.) (nC)  
10  
2.6  
• Excellent Temperature Stability  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
4.8  
DESCRIPTION  
Configuration  
Single  
The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s  
advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient  
geometry and unique processing of this latest “State of the  
Art” design achieves: very low on-state resistance  
combined with high transconductance; superior reverse  
energy and diode recovery dV/dt capability.  
D
DPAK  
(TO-252)  
The Power MOSFET transistors also feature all of the well  
established advantages of MOSFET’S such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of the electrical parameters.  
Surface mount packages enhance circuit performance by  
reducing stray inductances and capacitance. The DPAK  
(TO-252) surface mount package brings the advantages of  
Power MOSFET’s to high volume applications where PC  
Board surface mounting is desirable. The surface mount  
option IRFR9012, SiHFR9012 is provided on 16 mm tape.  
The straight lead option IRFU9012, SiHFU9012 of the device  
is called the IPAK (TO-251).  
G
D
S
G
S
N-Channel MOSFET  
They are well suited for applications where limited heat  
dissipation is required such as, computers and peripherals,  
telecommunication equipment, dc-to-dc converters, and a  
wide range of consumer products.  
ORDERING INFORMATION  
Package  
DPAK (TO-252)  
IRFR010PbF  
SiHFR010-E3  
IRFR010  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFR010  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
50  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
8.2  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
5.2  
A
Pulsed Drain Currenta  
Avalanche Currentb  
IDM  
IAS  
33  
1.5  
Linear Derating Factor  
0.20  
W/°C  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
25  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
2.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 100 μH, Rg = 25 .  
c. ISD 8.2 A, dI/dt 130 A/μs, VDD 40 V, TJ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91420  
S10-1510-Rev. A, 19-Jul-10  
www.vishay.com  
1
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