SIHFR024

更新时间： 2024-10-17 06:11:43

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	1986K
描述
Power MOSFET

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SIHFR024 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	91 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFR024 数据手册

IRFR024, IRFU024, SiHFR024, SiHFU024

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount (IRFR024/SiHFR024)

0.10

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

RoHS*

• Straight Lead (IRFU024/SiHFU024)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

5.8

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRFU024PbF

SiHFU024-E3

IRFU024

IRFR024PbF

SiHFR024-E3

IRFR024

IRFR024TRPbF^a

SiHFR024T-E3^a

IRFR024TR^a

Lead (Pb)-free

IRFR024TRL^a

SiHFR024TL^a

SnPb

SiHFR024

SiHFR024T^a

SiHFU024

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

9.0

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

P_D

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91264

S-Pending-Rev. A, 17-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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SIHFR024-GE3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR024T	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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