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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.07 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 75 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.54 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIHFR110TR-E3 | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated |
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| SIHFR110TR-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFR110TR-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4.3 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, HALOGEN FREE AN |
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| SIHFR120 | VISHAY |
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IRFR120 |
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| SIHFR120 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| SIHFR120-E3 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| SIHFR120-E3 | VISHAY |
获取价格 |
IRFR120 |
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| SIHFR120T | VISHAY |
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IRFR120 |
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| SIHFR120T | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| SIHFR120T-E3 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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