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SIHFR120TRR-GE3

更新时间： 2024-10-17 20:51:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	1990K
描述
TRANSISTOR 7.7 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFR120TRR-GE3 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A
最大漏极电流 (ID)：	7.7 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFR120TRR-GE3 数据手册

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

100

Definition

• Dynamic dV/dt Rating

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.27

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR120, SiHFR120)

• Straight Lead (IRFU120, SiHFU120)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

4.4

7.7

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

DPAK

IPAK

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

(TO-252)

(TO-251)

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

SiHFR120TR-GE3^aSiHFR120TRR-GE3^a

IRFR120TRPbF^a

SiHFR120T-E3^a

IRFR120TR^a

DPAK (TO-252)

SiHFR120TRL-GE3^a

IRFR120TRLPbF^a

SiHFR120TL-E3^a

IRFR120TRL^a

IPAK (TO-251)

SiHFU120-GE3

IRFU120PbF

SiHFU120-E3

IRFU120

Lead (Pb)-free and Halogen-free SiHFR120-GE3

IRFR120PbF

Lead (Pb)-free

IRFR120TRRPbF^a

SiHFR120TR-E3^a

IRFR120TRR^a

SiHFR120-E3

IRFR120

SnPb

SiHFR120

SiHFR120T^a

SiHFR120TR^a

SiHFR120TL^a

SiHFU120

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

7.7

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

4.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

210

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

7.7

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 5.3 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 7.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 110 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91266

S10-1122-Rev. B, 10-May-10

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...10

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SIHFR1N60A-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR1N60AT	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR1N60AT-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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SIHFR1N60ATRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
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