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SIHFR1N60ATRL-GE3

更新时间： 2024-10-17 13:35:55

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威世 - VISHAY		/
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10页	250K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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SIHFR1N60ATRL-GE3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.08
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SIHFR1N60ATRL-GE3 数据手册

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IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dV/dt Ruggedness

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)(Max.) (Ω)

Q_g(Max.) (nC)

600

V_GS= 10 V

7.0

2.7

_gs(nC)

_gd(nC)

8.1

Configuration

Single

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• Power Factor Correction

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Low Power Single Transistor Flyback

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free and

Halogen-free

SiHFR1N60A-GE3 SiHFR1N60ATRL-GE3^aSiHFR1N60ATR-GE3^aSiHFR1N60ATRR-GE3^aSiHFU1N60A-GE3

IRFR1N60APbF

SiHFR1N60A-E3

IRFR1N60A

IRFR1N60ATRLPbF^a

SiHFR1N60ATL-E3^a

IRFR1N60ATRPbF^a

SiHFR1N60AT-E3^a

IRFR1N60ATR^a

IRFR1N60ATRRPbF^a

SiHFR1N60ATR-E3^a

IRFU1N60APbF

SiHFU1N60A-E3

IRFU1N60A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR1N60A

SiHFR1N60AT^a

SiHFU1N60A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

600

_C= 25 °C

1.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

0.89

5.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.28

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.4

E_AR

3.6

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 95 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 1.4 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.4 A, dI/dt ≤ 180 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91267

S10-1122-Rev. C, 10-May-10

www.vishay.com

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SIHFR210-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR210T	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR210TA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
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