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SIHFR214TR-GE3

更新时间： 2024-10-17 14:44:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	860K
描述
TRANSISTOR 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFR214TR-GE3 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	190 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A	最大漏极电流 (ID)：	2.2 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFR214TR-GE3 数据手册

IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214

www.vishay.com

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR214, SiHFR214)

• Straight Lead (IRFU214, SiHFU214)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Material categorization: For definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)()

Q_g(Max.) (nC)

250

V_GS= 10 V

2.0

8.2

1.8

_gs(nC)

_gd(nC)

4.5

Configuration

Single

Note

* Lead (Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant.

Exemptions may apply.

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

SiHFU214-GE3

IRFU214PbF

SiHFU214-E3

IRFU214

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHFR214-GE3 SiHFR214TRL-GE3

SiHFR214TR-GE3 SiHFR214TRR-GE3

IRFR214PbF

SiHFR214-E3

IRFR214

IRFR214TRLPbF^a

SiHFR214TL-E3^a

IRFR214TRPbF^a

SiHFR214T-E3^a

IRFR214TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

IRFR214TRR^a

SiHFR214TR^a

SiHFR214

SiHFR214T^a

SiHFU214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

250

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

2.2

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

1.4

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.8

Linear Derating Factor

0.20

0.020

190

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energyb

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

2.2

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

T_A= 25 °C

P_D

2.5

Peak Diode Recovery dV/dtc

dV/dt

T_J, T_stg

4.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

260^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, Starting T_J= 25 °C, L = 62 mH, R_g= 25 , I_AS= 2.2 A (see fig. 12).

c. I_SD 2.2 A, dI/dt  65 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).

S12-1426-Rev. D, 18-Jun-12

Document Number: 91269

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFR214TRR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND R
SIHFR220	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR220	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR220-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR220-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR220-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
SIHFR220T	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR220T	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR220T-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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