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SIHFR224-E3

更新时间： 2024-10-17 06:11:43

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威世 - VISHAY		/
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Power MOSFET

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SIHFR224-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.8 A	最大漏极电流 (ID)：	3.8 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFR224-E3 数据手册

IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

250

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.1

RoHS*

• Surface Mount (IRFR224/SiHFR224)

• Straight Lead (IRFU224/SiHFU224)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

2.7

_gs(nC)

_gd(nC)

7.8

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs form Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave solderig techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR224TRLPbF^a

SiHFR224TL-E3^a

IRFR224TRL^a

IPAK (TO-251)

IRFU224PbF

SiHFU224-E3

IRFU224

IRFR224PbF

SiHFR224-E3

IRFR224

IRFR224TRPbF^a

SiHFR224T-E3^a

IRFR224TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR224

SiHFR224T^a

SiHFR224TL^a

SiHFU224

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

250

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

3.8

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

2.4

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

130

3.8

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

I_AR

E_AR

4.2

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

4.8

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91271

S-Pending-Rev. A, 17-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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