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SIHFR220TRL-GE3

更新时间： 2024-10-17 19:16:23

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威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	1538K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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SIHFR220TRL-GE3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	雪崩能效等级（Eas）：	161 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.8 A
最大漏极电流 (ID)：	4.8 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	19 A
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFR220TRL-GE3 数据手册

IRFR220, IRFU220, SiHFR220, SiHFU220

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

200

Definition

• Dynamic dV/dt Rating

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.80

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR220, SiHFR220)

• Straight Lead (IRFU220, SiHFU220)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.0

7.9

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

SiHFR220-GE3

IRFR220PbF

SiHFR220-E3

IRFR220

DPAK (TO-252)

SiHFR220TRL-GE3

IRFR220TRLPbF^a

SiHFR220TL-E3^a

IRFR220TRL^a

DPAK (TO-252)

IRFR220TRPbF^a

SiHFR220T-E3^a

IRFR220TR^a

SiHFR220T^a

DPAK (TO-252)

IRFR220TRRPbF^a

SiHFR220TR-E3^a

IRFR220TRR^a

SiHFR220TR^a

IPAK (TO-251)

SiHFU220-GE3

IRFU220PbF

SiHFU220-E3

IRFU220

Lead (Pb)-free and Halogen-free

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR220TL^a

SiHFR220

SiHFU220

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

4.8

T_C= 25 °C

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

3.0

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

230

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

4.8

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

2.5

T_A= 25 °C

dV/dt

5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

260^d

T_J, T_stg

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 14 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 4.8 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.2 A, dI/dt ≤ 95 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91270

S10-1122-Rev. C, 10-May-10

www.vishay.com

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