Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFR210T-E3

SIHFR210T-E3

更新时间： 2024-10-17 06:11:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	2400K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHFR210T-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	95 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.6 A
最大漏极电流 (ID)：	2.6 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFR210T-E3 数据手册

IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.5

RoHS*

• Surface Mount (IRFR210/SiHFR210)

• Straight Lead (IRFU210/SiHFU210)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

8.2

1.8

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

4.5

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR210PbF

SiHFR210-E3

IRFR210

DPAK (TO-252)

IRFR210TRPbF^a

SiHFR210T-E3^a

IRFR210TR^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRFU210PbF

SiHFU210-E3

IRFU210

IRFR210TRLPbF^a

SiHFR210TL-E3^a

IRFR210TRL^a

Lead (Pb)-free

IRFR210TRR^a

SiHFR210TR^a

SnPb

SiHFR210

SiHFR210TL^a

SiHFR210T^a

SiHFU210

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

200

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

2.6

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

1.7

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

0.020

130

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

2.7

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 28 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.6 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91268

S-81394-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与SIHFR210T-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFR210T-E3A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR210TL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR210TLA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR210TL-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR210TL-E3A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR210TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR210TRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR210TRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND
SIHFR214	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR214	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与SIHFR210T-E3相关文章

纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

9
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

18
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

27
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

21

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFR210T-E3

SIHFR210T-E3 技术参数

SIHFR210T-E3 数据手册

与SIHFR210T-E3相关器件

与SIHFR210T-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFR210T-E3

SIHFR210T-E3 技术参数

SIHFR210T-E3 数据手册

与SIHFR210T-E3相关器件

与SIHFR210T-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？