是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.17 | 雪崩能效等级(Eas): | 570 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 29 A | 最大漏极电流 (ID): | 29 A |
最大漏源导通电阻: | 0.21 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 480 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 110 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHFPS29N60L-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFPS30N60K | VISHAY |
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TRANSISTOR 30 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SUPER-247, 3 PIN, FET Gene | |
SIHFPS30N60K-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 30 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SUPER-247, | |
SIHFPS35N50L | VISHAY |
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IRFPS35N50L | |
SIHFPS35N50L-E3 | VISHAY |
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IRFPS35N50L | |
SIHFPS37N50A | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFPS37N50A-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFPS38N60L | VISHAY |
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TRANSISTOR 38 A, 600 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, SUPER TO-247, 3 PI | |
SIHFPS40N50L | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHFPS40N50L-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |