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SIHFPS40N60K-E3

更新时间： 2024-10-17 19:50:03

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	180K
描述
TRANSISTOR 40 A, 600 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SUPER-247, 3 PIN, FET General Purpose Power

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SIHFPS40N60K-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	570 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFPS40N60K-E3 数据手册

IRFPS40N60K, SiHFPS40N60K

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

Available

R_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.110

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

330

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

150

Configuration

Single

• Enhanced Body Diode dV/dt Capability

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Super-247

APPLICATIONS

• Hard Switching Primary or PFC Switch

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

• Motor Drive

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Super-247

IRFPS40N60KPbF

SiHFPS40N60K-E3

IRFPS40N60K

SiHFPS40N60K

Lead (Pb)-free

SnPb

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

_C= 100 °C

160

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

4.5

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

600

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

for 10 s

P_D

570

dV/dt

T_J, T_stg

7.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 0.84 mH, R_g= 25 , I_AS= 38 A, dV/dt = 5.5 V/ns (see fig. 12a).

c. I_SD 38 A, dI/dt  150 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91261

S11-0112-Rev. B, 31-Jan-11

www.vishay.com

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SIHFR010	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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