SIHFP360

更新时间： 2024-10-17 06:11:39

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威世 - VISHAY		/
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Power MOSFET

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SIHFP360 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.29
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23 A	最大漏极电流 (ID)：	23 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	280 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

SIHFP360 数据手册

IRFP360, SiHFP360

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rated

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Isolated Central Mounting Hole

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.20

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

210

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

110

Configuration

Single

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

TO-247

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because of its isolated mounting

hole. It also provides greater creepage distance between

pins to meet the requirements of most safety specifications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP360PbF

SiHFP360-E3

IRFP360

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP360

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

400

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

2.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1200

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

280

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 4.0 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 23 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 23 A, dI/dt ≤ 170 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90292

S-81377-Rev. A, 30-Jun-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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